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        1. EN

          M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件

          產品特性:

          采用Trench+Fieldstop技術;

          軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低;

          低飽和壓降,導通損耗??;

          關斷拖尾電流小,軟關斷特性;

          正溫度系數,適合并聯;

          高的短路電流能力(6us以上);

          開關速度快,開關損耗??;

          TVj max 達175℃;

          Type VCES
          (V)
          IC nom
          (A)
          VCE (sat)
          (V)
          Ptot
          (W)
          Eoff
          (mJ)
          RthJC
          (℃/W)
          Packages PDF資料
          MM15GT120B 1200 15 1.85 230 0.9 0.65 TO-247 預覽     下載
          MM40G3T120B 1200 40 1.90 405 2.8 0.37 TO-247 預覽     下載
          MM25G3T120B 1200 25 1.8 306 1.8 0.49 TO-247 預覽     下載

          應用領域

          變頻器

          伺服驅動器

          不間斷電源

          光伏逆變器

          電動汽車

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